内存dram的分类介绍
作者：佚名 时间：2012-03-09
由于对提高内存速度的要求,不断有新的dram出现,它们已不再是单纯的存储单元电路,而是将某些外部电路也一并收容在芯片内,dram主要有以下几种:
1.cdram(高速缓冲存储器dram).它是在dram芯片上增加一级高速缓冲存储器,提高dram的速度.
2.edram(增强型dram).它看两个特点,一是采用了一种场屏蔽的结构的新的cmos制造工艺,它有效地隔离芯片上的晶体管并降低它们的结电容,使晶体管开关加速,二是在dram芯片上增加一个sram高速缓冲存储器,行寄存器用来提供零等待状态读出命中和脉冲读出周期以提高速度.
3.mdram(多体dram).它是把ram芯片划分成多个(4个,64个或256个)小的存储体,使其存取速度比整个存储体集中在一起要快得多.
4.sdram(同步dram).一般的dram都是异步控制的,即处理器向存储器发出地址和控制电平,指出一组数据要读出或者定稿,要经过一段延时才能完成.造成这一段延时的原因是,dram要完成许多内部工作,如读出数据,选择路径,输出数据等.这就是常说的等等时间,降低了cpu效率.
5.rdram(rambus dram).rdram芯片及其模块的设计和规范是rambus公司的专利,rdram内在是一个窄通道内在.通道工作速率800mhz,传输速率1.6gb/s,采用双通道设计则可达3.2gb/s.一个通道可挂 接32个rdram芯片,每个芯片都是rdram内在的一个存储体.通道的一端连接rdram内在控制器,另一端连接位于主板上的终结器.
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